소개

경북대학교 전자공학부 3학년 신종훈입니다. 첨단반도체융합전공을 이수하며 반도체 소자와 공정을 공부하고 있습니다. 반도체 소자 연구실에서 NAND 플래시 메모리의 TCAD 시뮬레이션을 하고 있습니다. 장기적으로는 미국 반도체 산업에서 일하는 것이 목표입니다.

타임라인

2026.09 – 현재TCAD로 구현한 NAND 플래시 프로그램 동작 (FN 터널링에서 HCI까지)연구 · Team of six
2026.09 – 현재SK하이닉스 반도체 커리큘럼 5기학력 · Self-nomination track
2026.09 – 현재셀부터 설계한 8×8 SRAM프로젝트 · Team of six, semiconductor design club
2025.09 – 2026.02엣지 컴퓨팅 기반 포트홀 탐지 드론프로젝트 · Team of five · drone platform and camera input

프로젝트결정립계 하나가 커패시터리스 DRAM 셀에 미치는 영향시뮬레이션에서 폴리실리콘 채널의 결정립계 하나가 1T-DRAM 셀의 센싱 마진을 27% 줄였고, 이는 문헌에 보고된 약 25%와 가깝습니다.
활동외국인 유학생 튜터 및 버디경북대학교 외국인 유학생들의 수업과 생활 적응을 한국어와 영어로 돕고 있습니다.
연구TCAD로 구현한 NAND 플래시 프로그램 동작 (FN 터널링에서 HCI까지)Sentaurus로 7게이트 SONOS NAND 스트링을 만들고 FN 터널링으로 프로그램·소거·ISPP를 구현했으며, 발표된 HCI 프로그램 방식을 그 위에서 재현하고 있습니다.
학력SK하이닉스 반도체 커리큘럼 5기SK하이닉스 반도체 교육 프로그램의 자기추천 전형에 선발되어 메모리 소자, 공정, 패키징, 신뢰성, 계측을 배우고 있습니다.
프로젝트셀부터 설계한 8×8 SRAM프리차지, 로우 디코더, 라이트 드라이버, 센스 앰프를 갖춘 64비트 6T SRAM을 설계했고, 시뮬레이션에서 64개 셀 모두 쓰기 후 읽기를 통과했습니다.

공개 기록에 사용된 도구를 모아 보여 줍니다.

연구실 밖에서는 망원 렌즈로 사진을 찍습니다. 갤러리 보기 →